中科院半导体所锑化物半导体量子阱激光器研究获得重要进展

锑化学物理本征半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探究等世界有所主要性应用前途,随着锑化学物理多成分复杂低维质感分子束外延技艺的不断进步,国际上锑化物半导体相关的材质与光电器件技巧立异发展十一分赶快,美、日、德等先进国家竞相展开切磋,广为大家瞩目。

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在江山973安顿、国家自然科学基金委员会重大项目等补助下,中科院半导体所牛智川研商员团队深远研究锑化学物理非晶态半导体材料的根基物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的张罗技巧等,突破了锑化学物理量子阱激光器的刻蚀与钝化等宗旨工艺技艺。在这里底子上,研商组织立异规划金属光栅偏侧耦合布满反馈(LC-DFB)布局,成功促成了2μm波段高品质单模激光器,边模禁止比达到53dB,是当下同类器件的最高值;并且输出功率到达40mW,是时下同类器件的3倍以上。在锑化学物理量子阱大功率激光器方面,
FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别完成1.62瓦和16瓦的常温持续失败出功率,综合品质达到国际顶尖水准并突破海外高档激光器进口约束质量的鲜明条目款项。

近些日子,中国科高校半导体所超晶格国家根本实验室牛智川探讨员共青团和少先队在锑化学物理半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面获得新突破。金属光栅趋向耦合布满反馈(LC-DFB卡塔尔国量子阱单模激光器达成2μm波段高边模禁止比(~53dB卡塔尔下的高功率(40mW卡塔尔一般温度持续失败出。成果发布在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019卡塔尔公布后立时被Compound
Semiconductor亮点专项论题长篇通信。FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的常温持续失败出功率,一举突破高档激光器进口约束质量的明确条约。相关成果被选为Chin.Phys.B.28(1卡塔尔国(2019卡塔尔国封面文章。CPB小说中大功率线阵激光器功率图
牛智川斟酌员指导的钻研团体前段时间在国家973器重不利钻探安插、国家自然科学基金委员会重大项目及珍视项目等的帮助下,深远钻研了锑化学物理有机合成物半导体的素材底工物理、异质结低维质地外延生长和光电器件的张异极术等,系统性领会了锑化学物理量子阱、超晶格低维材料大意特点理论解析和成员束外延生长格局,在突破了锑化学物理量子阱激光器的刻蚀与钝化等基本工艺本事底蕴上,立异设计金属光栅趋势耦合布满反馈(LC-DFB卡塔尔(قطر‎结构成功完结了2μm波段高品质单模激光器,边模制止比直达53dB是方今同类器件的最高值,同期输出功率达到40mW是当前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019卡塔尔(قطر‎公布后马上被国际知名《纯净物本征半导体,Compound
Semiconductor
二〇一五年第2期》长篇通信,建议:“该单模激光器开创性升高边模禁绝比,为天基卫星载LIDACR-V系统和气体格检查测种类提供了有竞争性的光源器件”。在锑化学物理量子阱大功率激光器方面,商量组织修正应用数字合金法生长波导层等关键技能,研制作而成功2μm波段的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱大功率激光器,其单管器件的平常的温度连败出功率达到1.62瓦、巴条(线阵State of Qatar激光器组件的常温连败出功率16瓦,综合质量到达国际第一流水准并突破海外高功率非晶态半导体激光器出口约束规定的属性条目款项。相关成果被选为Chin.
Phys. B. 28(1卡塔尔, (2019State of Qatar封面小说。
GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结量子阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm~4.0μm的短波红外区域,与该波段的任何激光材质连串比较其在研制电直接驱动下高光电功用的激光器方面具有非同小可的优势。前段时间随着锑化学物理多成分复杂低维材料分子束外延本领的不断进步,国际上锑化学物理半导体相关的材料与光电器件技革发展十二分火速。上述锑化学物理半导体激光器商讨成果突破了短波红外激光器技巧世界长期卡脖子核心技能,将要摇摇欲倒气体格检查测、遇到监测、医治与激光加工等重重高新技能行业发挥不可替代的主要性价值。
该项目讨论工作程序完毕国家973主要科研安顿课题二零一一CB942904、二〇一五CB643903、国家自然科学基金委员会重大项目61790580和入眼项目61435012等的捐助。
标签: 激光器

该成果引起国际学术界和产业界分布关注,《化合物半导体》杂志批评“该单模激光器开创性提高边模禁止比,为天基卫星载LIDAHaval系统和气体检查实验系统提供了有竞争性的光源器件”。该讨论成果攻下了短波红外激光器领域关键技巧,在危急气体格检查测、处境监测、医疗与激光加工等重重高技艺行业有着极其广阔的接受价值。

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